随着科技进步，智能化产品与日俱增。从电脑、智能手机，再行到汽车电子、人工智能，如今在我们的生产生活中已随处可见。它们之所以需要以求发展，驱动内部发送信号的半导体芯片是关键。
我们这里谈的半导体为IC（集成电路）或者LSI（大规模集成电路）。生产的芯片可以分成逻辑芯片、存储芯片、仿真芯片、功率器件。
根据摩尔定律，每18-24个月，集成电路上可以容纳的器件数目就不会增加一倍，这将让更加多的科技应用于逐步构建，并以求优化。应用于场景和市场的不断扩大，半导体芯片的市场需求毫无疑问也不会随之快速增长，对其质量则有了更高的拒绝。
比如汽车行业，除了传统的汽车电子，目前也有许多目光投向了自动驾驶。像这样高度牵涉到人身安全的车用芯片，在高温、低温、受潮、老化、长年工作等因素下，性能都必需保持稳定。所以，无论从半导体芯片的研发设计，再行到前道工序，后道工序，甚至最后投入使用，每一个流程都必须有适当的检测来反潜。
芯片制作流程概括性转身对于芯片制造商来说，全然告诉芯片否合格，以此来出局坏品确保输入产品质量，是近过于的。还必须“知其所以然”，确保良率，追根溯源，节约成本的同时给企业建构更高的效益。所以环绕着这个主题，将展开一系列的检测，我们将此称作半导体过热分析。
它的意义在于确认半导体芯片的过热模式和过热机理，以此展开追责，明确提出缺失措施，避免问题反复经常出现。过热分析检测真是就像一场“夺命”之旅。通过可行性证据瞄准指控范围，再行通过各种方法取得更加多证据，步步瞄准，拨开层层“疑云”去取得最后的真凶。
检测流程上，一般来说，制造商不会首先对待测半导体晶圆（wafer）或裸片（die）实行传统的电性测量。一方面来确认芯片否有故障的情况不存在；一方面，若故障清楚不存在，也可以为先前过热分析获取适当的信息。早已过诸多工艺处置后的晶圆（wafer），裸片（die）即从其切割成而来但想要超过本源的目的，单凭传统的电性测试是近过于的。
还必须更进一步理解缺失明确不存在的方位，甚至还原成出有过热的场景、模式，借以理解过热机理。这也就是在半导体过热分析中最重要而艰难的一项，缺失定位。过热分析工程师融合测试机测出的过热模式以及其他故障信息，可以初步判断必须采行的定位方法，然后大大融合取得的新数据，逐步推断出有过热再次发生在芯片的哪层结构中，及其显然缘由。
缺失定位而半导体工艺日新月异发展飞速，制程上，从70年代的微米级芯片早于早已提高至纳米级芯片。芯片层数减少和晶体管数量的急遽减少，让过热点更加无法找到。
大大提高的集成度，对检测设备的性能明确提出了更加多的挑战。1971年到2000年，英特尔芯片的发展挑战1：更高的弱光观测能力首先，芯片集成化程度更加低，芯片的层数也将渐渐激增，电路不会显得更加粗，电压拒绝也随之减少。因此，在检测过程中，故障处有可能收到的光信号就显得黯淡，再行再加层数的变换，光信号将再度被巩固，这拒绝检测仪享有更高的弱光观测能力。
挑战2：更加多检测功能大大提升的集成度在带给了日益强劲的芯片功能外，也让有可能经常出现的故障风险显得更加多。一旦经常出现过热，其故障原因亦有可能更为简单。因此，在过热定位时，必须发展出有更加多、更加细化的测试方法和功能模块，去对应这样的变化。
挑战3：可用检测技术的前进对于经常出现问题返厂的成品芯片，一般不会在已完成一系列可用检测（如X射线检测），以及关上PCB后的显微镜检查后，再行转入到传统电性测试这一步。对于愈发低集成化、灵活的芯片来说，关上PCB时内部裸片损毁的可能性不会减小，而这一步亦是不可逆的。损毁后，过热模式将无法还原成，继而无法得出结论过热的确实原因。因此，必须时，可以尽可能超过可用检测，也是给过热定位明确提出的又一挑战。
早在30余年前，滨松就开始了在半导体过热分析应用于中的研究。1987年，发售了第一代微光显微镜，并在此后渐渐重新组建起了专门针对半导体缺失方位定位的PHEMOS系列产品。针对应用于中呈现的诸多拒绝，滨松亦在技术上作出了更进一步的研发。
滨松半导体过热分析系统PHEMOS系列为了强化微光观测能力，滨松研发了C-CCD、Si-CCD、InGaAs等多类高端照相机。用户可根据样品制程和结构，自由选择有所不同的照相机安装在设备中。
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